Transient Floating-Body Effects for Memory Applications in Fully-Depleted SOI MOSFETs
Première édition
Memory devices based on floating-body effects (FBE) in Silicon-on-Insulator (SOI) technology are among the most promising candidates for sub-100nm and low power Dynamic Random Access Memory (DRAM). This new type of DRAMs, called Zero-Capacitor RAM (Z-RAM)
Livre broché
- En anglais
15,00 €
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Spécifications
- Éditeur
- Presses universitaires de Louvain
- Partie du titre
-
Numéro 160
- Auteur
- Maryline Bawedin,
- Collection
- Thèses de l'École polytechnique de Louvain
- Langue
- anglais
- Catégorie (éditeur)
- Sciences appliquées > Electricité
- BISAC Subject Heading
- TEC000000 TECHNOLOGY & ENGINEERING
- Code publique Onix
- 06 Professionnel et académique
- CLIL (Version 2013-2019 )
- 3069 TECHNIQUES ET SCIENCES APPLIQUEES
- Date de première publication du titre
- 01 janvier 2007
- Subject Scheme Identifier Code
- Classification thématique Thema: Technologie, ingénierie et agriculture, procédés industriels
- Type d'ouvrage
- Thèse
Livre broché
- Date de publication
- 01 janvier 2007
- ISBN-13
- 978-2-87463-088-0
- Ampleur
- Nombre de pages de contenu principal : 168
- Code interne
- 76495
- Format
- 16 x 24 x 1 cm
- Poids
- 282 grammes
- Prix
- 15,00 €
- ONIX XML
- Version 2.1, Version 3