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Infrastructures de mobilité et projet urbain

Évolutivité du design des stations de métro et de pré-métro à Bruxelles

Gordana Micic

Cette recherche a pour objet l'articulation des réseaux de transport public avec les territoires qu'ils desservent. Elle contribue à cette problématique générale en étudiant le rôle des stations de métro bruxelloises par rapport à la structuration, la conformation et l'animation des espaces publics de la ville. Lire la suite

Cette recherche a pour objet l'articulation des réseaux de transport public avec les territoires qu'ils desservent. Elle contribue à cette problématique générale en étudiant le rôle des stations de métro bruxelloises par rapport à la structuration, la conformation et l'animation des espaces publics de la ville. L'auteure aborde cette question dans une perspective interdisciplinaire, croisant les points de vue et les regards de l'architecte, de l'urbaniste et de l'ingénieur pour interroger le projet public de mobilité dans sa multidimensionnalité et sa multiscalarité. Elle décrit l'histoire et l'évolution du projet de métro bruxellois, montrant l'évolution des logiques et des stratégies concernant le choix des tracés, la matérialité des équipements et l'organisation du service. Elle propose une typologie et une promenade à travers les projets d'hier, d'aujourd'hui et de demain, mettant en évidence les spécificités et les enjeux du design de la station de métro en tant qu'équipement et espace public entre ville et réseau. Elle pose enfin la question de l'engagement des usagers dans la construction d'un bouquet de services publics de mobilité plurielle dans une ville en pleine mutation écologique et sociale.

Livre broché - 82,00 €

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Spécifications

Éditeur: Presses universitaires de Louvain
Auteur: Gordana Micic,
Collection: Thèses de la Faculté d'architecture, d'ingénierie architecturale, d'urbanisme | n° 21
Langue: français
Catégorie (éditeur): Sciences appliquées > Urbanisme et développement territorial
Catégorie (éditeur): Sciences appliquées
BISAC Subject Heading: ARC010000 ARCHITECTURE / Urban & Land Use Planning
BIC subject category (UK): AMVD City & town planning - architectural aspects
Code publique Onix: 06 Professionnel et académique
CLIL (Version 2013-2019 ): 3076 Architecture/Urbanisme
Date de première publication du titre: 26 octobre 2021
Type d'ouvrage: Thèse

Livre broché

Date de publication: 01 janvier 2003
ISBN-13: 978-2-93034-439-3
Ampleur: Nombre de pages de contenu principal : 232
Format: 16 x 24 x 1,3 cm
Poids: 380 grammes
Prix: 18,60 €
ONIX XML: Version 2.1, Version 3

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Sommaire

Scientific publications vi
Introduction x
1 SOI technologies for analog applications 1
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Comparison of SOI and bulk MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 The SOI materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.1 Structure and properties of the various SOI MOSFET transistors, the influence of the silicon film . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1.1 Comparison between the structures of long channel FD and PD transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1.2 Properties of FD and PD devices . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1.3 Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.2 The position of industry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4 Insulators and substrates used . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.1 Classical SOI substrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.2 High Resistivity SOI substrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4.3 Silicon-on-Membrane . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.4 Silicon-on-Anything . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.5 Silicon-on-Sapphire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5 Size Does Matter: Evolution of the Microelectronic . . . . . . . . . . . 17
1.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2 On-wafer microwave measurement methods . . . . . . . 25
2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Waves and scattering parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.2 Power waves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.3 Pseudo waves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.4 Scattering Matrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.2.4.1 The transmission line . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.2.4.2 The thru line . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.2.5 Transfer Matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.2.6 Immittance Matrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.2.7 Change of reference impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.7.1 Scattering Matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.7.2 Pseudo scattering matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.2.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3 The Vector Network Analyzer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3.2 Calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.3.2.1 The transfer function formalism . . . . . . . . . . . . 41
2.3.2.2 General TAN self calibration procedure . . . . . . . . 43
2.3.2.3 Practical applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.4 On-wafer measurement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.2 Measurement of silicon CMOS devices . . . . . . . . . . . . . . 50
2.4.2.1 Limitations due to CMOS technology . . . . . . . . . . 50
2.4.2.2 Two steps calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.4.2.3 Alternative to the two step calibration . . . . . . . . . 59
2.4.2.4 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.4.3 Optimization of the measurement procedure . . . . . . . . . . 60
2.4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.4.3.2 TRM Calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.4.3.3 On-wafer TRL Calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.4.3.4 In uence of the power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.4.3.5 Control of the quality of the calibration . . . . . . . . 65
2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3 RF modeling and characterization of sub-micron MOSFET 69
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.2 Small signal model of integrated SOI MOSFET . . . . . . . . . . . . . . 70
3.2.1 Useful e ect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.2.2 Quasi-static model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.2.3 Non-quasi-static model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.2.4 Extrinsic model and access elements . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.2.4.1 Extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.2.4.2 Extrinsic resistances and inductances . . . . . . . . . 75
3.2.4.3 Extrinsic-Extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . 77
3.2.4.4 Access parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.3 Extraction procedure of the small signal model . . . . . . . . . . . . . 81
3.3.1 Parasitic access elements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.3.2 Extrinsic-extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.3.3 Extrinsic resistances and inductances . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.3.4 Extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.3.5 Intrinsic elements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.3.6 Comparison between FD, PD, and Bulk MOSFET . . . . . . . . 98
3.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4 Performances of alternative MOSFETs in SOI technologies 103
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
4.2 Relevant gures of merit for RF applications . . . . . . . . . . . . . . 103
4.2.1 Figures of Merit of integrated transistors . . . . . . . . . . . . 104
4.2.2 Cut-o frequencies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
4.3 The Dynamic Threshold MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.3.2 Device fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.3.3 DC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.3.4 Frequency behavior . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4.3.4.1 Medium frequency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.3.4.2 High frequency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.3.5 Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.4 The Graded Channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.4.2 Device fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4.4.3 DC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
4.4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
4.4.3.2 Simulation Results . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
4.4.3.3 Modeling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.4.4 RF properties . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.4.5 Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
5 Passive elements on SOI technologies 143
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.2 Properties of transmission lines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.2.2 Coplanar waveguide (CPW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.2.3 Thin lm microstrip line (TFMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.2.4 Strip line . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
5.2.5 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.3 Modeling of integrated inductors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.3.1 Topology under scope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.3.2 De nitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.3.2.1 Equivalent circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.3.2.2 Quality factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
5.3.3 Modeling of square spiral inductors . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.3.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.3.3.2 Modeling 3-coupled lines on multilayered silicon substrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
5.3.3.3 Modeling of the admittance matrix of n-coupled lines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
5.3.3.4 Modeling of the inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
5.3.3.5 Validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
5.3.3.6 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
5.3.4 Prospective design of square spiral inductor. . . . . . . . . . . 181
5.3.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
5.3.4.2 Design rules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
5.3.4.3 Prospecting new technologies . . . . . . . . . . . . . . 186
5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
6 Conclusion 195
A Relations between scattering and immittance parameters I
B Determination of extrinsic-extrinsic capacitances III
C Alternative uses of the body contacted MOSFET VII
D Modeling of microstrip lines by using variational principle XI
D.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . XI
D.2 Using a variational principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . XI
D.3 Propagation modes determination of 3-coupled microstrip lines . . XIII