Dualisme financier et développement au Cameroun

Une approche néo-braudélienne et systémique
Première édition

L'étude centrée sur une approche historico-systémique du Cameroun, aboutit à la compréhension du dualisme financier... Lire la suite

En Afrique subsaharienne en général, et au Cameroun en particulier, le dualisme
financier est très souvent attribué, comme le font MC Kinnon et Shaw depuis 1973, à un État hyper-interventionniste sur une sphère financière ne fonctionnant plus suivant les lois du marché. Ce faisant on commet des erreurs de séniorité et de calibrage du fait du déni d'histoire des approches dominantes.
En effet, analysée en longue période, la répression financière historique n’est que la composante financière de la stratégie répressive globale du système colonial sur des modes de vie qui lui étaient antérieurs. La libéralisation financière n’est que la dimension financière de la modernisation sociale et sociétale dans sa version capitaliste.
La modernisation sociétale est confondue avec le processus de développement et l’approfondissement financier est assimilé au développement financier ; la répression financière est prise uniquement dans sa dimension moderne, et les pratiques réelles de développement sont négligées et ignorées autant que leurs ordres financiers.
Cette thèse inscrite dans une épistémologie critique privilégie le temps long de l’histoire et des processus structurels.
L’étude centrée sur une approche historico-systémique du Cameroun, aboutit à la compréhension du dualisme financier camerounais, du développement financier, de son lien avec la reproduction durable de l’autonomie sociale (développement) et les conceptions monétaires à l’origine de l’esprit des tontines actuelles.


En Afrique subsaharienne en général, et au Cameroun en particulier, le dualisme
financier est très souvent attribué, comme le font MC Kinnon et Shaw depuis 1973, à un État hyper-interventionniste sur une sphère financière ne fonctionnant plus suivant les lois du marché. Ce faisant on commet des erreurs de séniorité et de calibrage du fait du déni d'histoire des approches dominantes.
En effet, analysée en longue période, la répression financière historique n’est que la composante financière de la stratégie répressive globale du système colonial sur des modes de vie qui lui étaient antérieurs. La libéralisation financière n’est que la dimension financière de la modernisation sociale et sociétale dans sa version capitaliste.
La modernisation sociétale est confondue avec le processus de développement et l’approfondissement financier est assimilé au développement financier ; la répression financière est prise uniquement dans sa dimension moderne, et les pratiques réelles de développement sont négligées et ignorées autant que leurs ordres financiers.
Cette thèse inscrite dans une épistémologie critique privilégie le temps long de l’histoire et des processus structurels.
L’étude centrée sur une approche historico-systémique du Cameroun, aboutit à la compréhension du dualisme financier camerounais, du développement financier, de son lien avec la reproduction durable de l’autonomie sociale (développement) et les conceptions monétaires à l’origine de l’esprit des tontines actuelles.


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Spécifications


Éditeur
Presses universitaires de Louvain
Auteur
Thierry Amougou,
Collection
Thèses de la Faculté des sciences économiques, sociales, politiques et de communication
Langue
français
Catégorie (éditeur)
Sciences économiques et sociales > Sciences économiques > Economie monétaire et financière
Catégorie (éditeur)
Sciences économiques et sociales > Sciences économiques > Histoire économique et sociale
Catégorie (éditeur)
Sciences économiques et sociales > Sciences politiques et sociales > Sciences politiques et affaires publiques
Catégorie (éditeur)
Sciences économiques et sociales > Sciences politiques et sociales > Sociologie
BISAC Subject Heading
BUS000000 BUSINESS & ECONOMICS
Code publique Onix
06 Professionnel et académique
CLIL (Version 2013-2019 )
3283 SCIENCES POLITIQUES
Description public visé
Économistes, sociologues, spécialistes de l'Afrique noire, sciences du développement
Date de première publication du titre
01 mars 2010
Subject Scheme Identifier Code
Classification thématique Thema: Sciences politiques et théorie
Type d'ouvrage
Thèse
Avec
Bibliographie

Livre broché


Date de publication
01 janvier 2003
ISBN-13
978-2-93034-439-3
Ampleur
Nombre de pages de contenu principal : 232
Format
16 x 24 x 1,3 cm
Poids
380 grammes
Prix
18,60 €
ONIX XML
Version 2.1, Version 3

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Sommaire


Scientific publications vi
Introduction x
1 SOI technologies for analog applications 1
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Comparison of SOI and bulk MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 The SOI materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.1 Structure and properties of the various SOI MOSFET transistors, the influence of the silicon film . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1.1 Comparison between the structures of long channel FD and PD transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1.2 Properties of FD and PD devices . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.1.3 Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.2 The position of industry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4 Insulators and substrates used . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.1 Classical SOI substrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.2 High Resistivity SOI substrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4.3 Silicon-on-Membrane . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.4 Silicon-on-Anything . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.5 Silicon-on-Sapphire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5 Size Does Matter: Evolution of the Microelectronic . . . . . . . . . . . 17
1.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2 On-wafer microwave measurement methods . . . . . . . 25
2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Waves and scattering parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2.2 Power waves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.3 Pseudo waves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.4 Scattering Matrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.2.4.1 The transmission line . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.2.4.2 The thru line . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.2.5 Transfer Matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.2.6 Immittance Matrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.2.7 Change of reference impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.7.1 Scattering Matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2.7.2 Pseudo scattering matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.2.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3 The Vector Network Analyzer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3.2 Calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.3.2.1 The transfer function formalism . . . . . . . . . . . . 41
2.3.2.2 General TAN self calibration procedure . . . . . . . . 43
2.3.2.3 Practical applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.4 On-wafer measurement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.2 Measurement of silicon CMOS devices . . . . . . . . . . . . . . 50
2.4.2.1 Limitations due to CMOS technology . . . . . . . . . . 50
2.4.2.2 Two steps calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.4.2.3 Alternative to the two step calibration . . . . . . . . . 59
2.4.2.4 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.4.3 Optimization of the measurement procedure . . . . . . . . . . 60
2.4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.4.3.2 TRM Calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.4.3.3 On-wafer TRL Calibration . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.4.3.4 In uence of the power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.4.3.5 Control of the quality of the calibration . . . . . . . . 65
2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3 RF modeling and characterization of sub-micron MOSFET 69
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.2 Small signal model of integrated SOI MOSFET . . . . . . . . . . . . . . 70
3.2.1 Useful e ect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.2.2 Quasi-static model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.2.3 Non-quasi-static model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.2.4 Extrinsic model and access elements . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.2.4.1 Extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.2.4.2 Extrinsic resistances and inductances . . . . . . . . . 75
3.2.4.3 Extrinsic-Extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . 77
3.2.4.4 Access parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.3 Extraction procedure of the small signal model . . . . . . . . . . . . . 81
3.3.1 Parasitic access elements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.3.2 Extrinsic-extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.3.3 Extrinsic resistances and inductances . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.3.4 Extrinsic capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.3.5 Intrinsic elements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.3.6 Comparison between FD, PD, and Bulk MOSFET . . . . . . . . 98
3.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4 Performances of alternative MOSFETs in SOI technologies 103
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
4.2 Relevant gures of merit for RF applications . . . . . . . . . . . . . . 103
4.2.1 Figures of Merit of integrated transistors . . . . . . . . . . . . 104
4.2.2 Cut-o frequencies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
4.3 The Dynamic Threshold MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.3.2 Device fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.3.3 DC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.3.4 Frequency behavior . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4.3.4.1 Medium frequency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.3.4.2 High frequency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.3.5 Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.4 The Graded Channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.4.2 Device fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4.4.3 DC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
4.4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
4.4.3.2 Simulation Results . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
4.4.3.3 Modeling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.4.4 RF properties . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.4.5 Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
5 Passive elements on SOI technologies 143
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.2 Properties of transmission lines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.2.2 Coplanar waveguide (CPW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.2.3 Thin lm microstrip line (TFMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.2.4 Strip line . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
5.2.5 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.3 Modeling of integrated inductors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.3.1 Topology under scope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.3.2 De nitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.3.2.1 Equivalent circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.3.2.2 Quality factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
5.3.3 Modeling of square spiral inductors . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.3.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.3.3.2 Modeling 3-coupled lines on multilayered silicon substrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
5.3.3.3 Modeling of the admittance matrix of n-coupled lines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
5.3.3.4 Modeling of the inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
5.3.3.5 Validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
5.3.3.6 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
5.3.4 Prospective design of square spiral inductor. . . . . . . . . . . 181
5.3.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
5.3.4.2 Design rules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
5.3.4.3 Prospecting new technologies . . . . . . . . . . . . . . 186
5.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
6 Conclusion 195
A Relations between scattering and immittance parameters I
B Determination of extrinsic-extrinsic capacitances III
C Alternative uses of the body contacted MOSFET VII
D Modeling of microstrip lines by using variational principle XI
D.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . XI
D.2 Using a variational principle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . XI
D.3 Propagation modes determination of 3-coupled microstrip lines . . XIII